對(duì)于不久前曝光的iPhone 6 Plus128GB機(jī)型遭遇頻繁死機(jī)的事件，業(yè)內(nèi)分析認(rèn)為可能與設(shè)備采用的TLC NAND存儲(chǔ)器控制IC的缺陷有關(guān)。雖然蘋果并沒(méi)有大舉措回應(yīng)，但實(shí)際情況似乎確實(shí)存在。日前有報(bào)道稱，除了頂配版iPhone 6 Plus之外，iPhone 6 64GB版本機(jī)型其實(shí)也有部分批次采用了TLC閃存。
根據(jù)外媒Gforgames報(bào)道稱，韓國(guó)一家媒體Kbench日前將新iPhone中采用的兩類NAND閃存進(jìn)行了測(cè)試對(duì)比，結(jié)果顯示MLC閃存在整體速度和閑置使用率的性能表現(xiàn)上比TLC更加出色。
Kbench針對(duì)MLC和TLC版本iPhone 6 64GB機(jī)型進(jìn)行閃存性能寫入測(cè)試，分別采用了ZeroFill（全0模式）及RandomFill（100%隨機(jī)模式）拷貝資料，進(jìn)行1K、2K逐級(jí)遞增至32768K等不同規(guī)格的大小測(cè)試，每個(gè)文件大小重復(fù)100次，測(cè)試結(jié)果令人震驚。
如上圖所示：第一個(gè)圖表為全0模式，采用TLC版本機(jī)型會(huì)針對(duì)系統(tǒng)內(nèi)存進(jìn)行動(dòng)態(tài)快速存取優(yōu)化，當(dāng)系統(tǒng)進(jìn)行拷貝時(shí)會(huì)使用系統(tǒng)存儲(chǔ)進(jìn)行暫存，以提升TLC寫入系統(tǒng)的性能，但是當(dāng)數(shù)據(jù)大小超過(guò)一定量級(jí)后，系統(tǒng)性能會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重下降，已經(jīng)開啟的應(yīng)用會(huì)出現(xiàn)延遲或閃退情況。
第二個(gè)圖表為隨機(jī)模式，TLC與MLC的性能差別在此項(xiàng)測(cè)試中明顯擴(kuò)大了，對(duì)系統(tǒng)存儲(chǔ)難于對(duì)付的零碎文件進(jìn)行實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)時(shí)，采用TLC閃存的機(jī)型寫入性能大幅下降。雖然采用MLC機(jī)型的表現(xiàn)也不是很理想，但在處理4K、8K、32K大數(shù)據(jù)包時(shí)的表現(xiàn)明顯更優(yōu)于TLC。而在采用MCL版本機(jī)型拷進(jìn)行貝時(shí)，系統(tǒng)內(nèi)存并沒(méi)有針對(duì)磁盤進(jìn)行快速存取，不過(guò)在數(shù)據(jù)拷貝的過(guò)程中整體表現(xiàn)穩(wěn)定平均，不會(huì)出現(xiàn)像TLC閃存大起大落的現(xiàn)象，同樣不會(huì)出現(xiàn)延遲與閃退現(xiàn)象。
第三個(gè)圖表為磁盤使用情況，在右圖的MLC版本中，當(dāng)進(jìn)行拷貝時(shí)，磁盤使用率僅有輕微的上升，并不會(huì)像左圖的TLC版本一樣突然大量占用系統(tǒng)內(nèi)存（“Inactive”部分），整個(gè)拷貝過(guò)程非常穩(wěn)定。
綜合如上情況看來(lái)，如果你買到的是MLC版本iPhone 6 64GB機(jī)型那么可以暗喜了，如果不幸買到TLC版本機(jī)型，那么只能怪運(yùn)氣欠佳了。不過(guò)，近期有報(bào)道稱，蘋果將會(huì)在下一批新設(shè)備中換用MLC閃存，同時(shí)也可能會(huì)為經(jīng)鑒定存在該硬件問(wèn)題的設(shè)備提供更換服務(wù)，所以大家還是不用眉頭緊鎖了。
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