三星近日在中國(guó)深圳舉辦“2016三星移動(dòng)解決方案論壇”，并展出了自家最新的10nmLPDDR46GBDRAM內(nèi)存，這款芯片與現(xiàn)有6GB芯片最大的區(qū)別在于使用了最新的10nm制造生產(chǎn)工藝，三星表示這款最新芯片能有效提高并延長(zhǎng)電池續(xù)航，手機(jī)運(yùn)行很多App也能輕松完成。
論壇現(xiàn)場(chǎng)照片
據(jù)了解，如果該10nmLPDDR4內(nèi)存能夠順利量產(chǎn)，那么今年即將推出的三星Galaxy Note6有望成為首款嘗鮮的手機(jī)。
根據(jù)之前的消息顯示，三星Galaxy Note6將搭載最新驍龍823處理器，屏幕預(yù)計(jì)為5.8英寸，儲(chǔ)存容量最高可達(dá)256GB，電池容量為4200毫安，支持紅外對(duì)焦，支持IP68級(jí)別的防塵防水功能。可能會(huì)同時(shí)具備曲面和平面兩個(gè)版本。
網(wǎng)傳Note6渲染圖
根據(jù)最新媒體曝光消息，三星Galaxy Note6除了以上功能外，或?qū)⑷∠讣y識(shí)別用最新的眼紋虹膜識(shí)別代替，并支持IP68級(jí)別的防塵防水功能。由此看來今年的三星將還會(huì)上演重頭戲，而這一切創(chuàng)新是否會(huì)撼動(dòng)蘋果iPhone7呢？讓我們拭目以待吧！
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