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08月 10

鎂光發(fā)布3D閃存芯片:手機(jī)存儲容量大增

編輯:匿名 來源:安卓中國
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8月10日消息,近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(Flash Memory Summit)上,鎂光公布了他們的首款3D NAND閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲存空間。據(jù)PCWorld報(bào)道,鎂光這款3D閃存芯片的容量為32GB,其目標(biāo)市場為中高端的智能手機(jī)。該產(chǎn)品基于新的UFS 2.1標(biāo)準(zhǔn),市面上的智能手機(jī)均未使用這種理論上更快的儲存協(xié)議。

鎂光認(rèn)為智能手機(jī)對內(nèi)存容量的需求越來越高,虛擬現(xiàn)實(shí)應(yīng)用和流媒體都將占用大量的儲存空間。他們表示,在幾年之內(nèi)智能手機(jī)的內(nèi)存容量可能會達(dá)到如今PC的水平,具體來說,大概在2020年就會觸及1TB。不過,這家公司并未透露自家用于移動設(shè)備3D閃存芯片的發(fā)展路線圖。

與傳統(tǒng)的2D NAND水平排布儲存單元不同,3D NAND使用垂直的方式排布儲存單元,這種方式既能擁有更高的容量,又能讓芯片間的通訊變快。

3D NAND閃存芯片技術(shù)并非鎂光獨(dú)有,英特爾三星都已經(jīng)在SSD上應(yīng)用了這種技術(shù),相關(guān)產(chǎn)品的容量只會越來越大。

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