在7nm制程工藝的研發(fā)競爭中，臺積電和三星都在持續(xù)投入，以求在7nm的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)上占得先機(jī)。其中臺積電已經(jīng)計(jì)劃于今年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)7nm芯片，明年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，而三星則制定了更為激進(jìn)的技術(shù)路線圖：7nm芯片在明年年初就可量產(chǎn)，剛好趕上開年旗艦的發(fā)布，三星Galaxy S9將成為首款搭載7nm處理器的機(jī)型。
在剛剛結(jié)束的三星第四季度業(yè)績報(bào)告會上，三星半導(dǎo)體LBI負(fù)責(zé)人表示，7nm工藝是一項(xiàng)技術(shù)上的挑戰(zhàn)，但三星希望成為行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，因此制定了一份激進(jìn)的技術(shù)路線圖，計(jì)劃于2018年初實(shí)現(xiàn)7nm芯片的量產(chǎn)，以此趕上開年Galaxy S9的發(fā)布。
業(yè)界普遍認(rèn)為，10nm是短節(jié)點(diǎn)或是過渡性節(jié)點(diǎn)，而7nm則將是長壽的重要節(jié)點(diǎn)，將使處理器的封裝面積、功耗、性能得到改善，包括蘋果、高通等處理器設(shè)計(jì)大廠都已虎視眈眈，巨大的需求與高額的利潤并存。
為了如期實(shí)現(xiàn)7nm制程工藝量產(chǎn)的目標(biāo)，三星已經(jīng)著眼于下一代的極紫外光微影(EUV)技術(shù)，該技術(shù)被業(yè)內(nèi)認(rèn)為是使晶體管之間距離進(jìn)一步縮小的關(guān)鍵，與現(xiàn)有的技術(shù)相比，可以連續(xù)單次曝光，大大減少制造過程中的多重曝光步驟、光罩?jǐn)?shù)量以及時(shí)間和成本。
在此期間，除了7nm的持續(xù)投入，三星也在致力于完善現(xiàn)有的旗艦10nm工藝，包括驍龍835以及自家Exynos處理器的量產(chǎn)，而14nm工藝將服務(wù)于中端芯片以及可穿戴設(shè)備的芯片。
