蘋果供應商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的72層，256Gb的3D NAND閃存芯片。通過堆疊，這比以前的48層技術多出1.5倍的單元，單個256Gb NAND閃存芯片可以提供32GB的存儲。
這種芯片比48層3D NAND芯片的內(nèi)部運行速度快兩倍，讀寫性能快20%。自2016年11月以來，該供應商一直在制造48層256Gb 3D NAND芯片。他們之前的36層128Gb 3D NAND芯片于2016年4月推出。因為層數(shù)更多，利用現(xiàn)有的生產(chǎn)線，產(chǎn)能可以提升30%，海力士將在今年下半年量產(chǎn)這些新的芯片。
iPhone7和iPhone7Plus機型上的NAND閃存芯片來自東芝和海力士，其中一些iPhone7采用了東芝的48層3D BiCS NAND芯片，這種芯片之前從未出現(xiàn)在其它商業(yè)產(chǎn)品中，而其它的iPhone7型號則使用了海力士的閃存芯片。
而海力士日前推出的這款72層的閃存芯片適用于未來的iPhone，不知道在iPhone8上會不會用上這種新的技術呢?
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