Intel雖然一再強調(diào)自己的xxnm工藝才是最精確的,比如同樣標(biāo)稱10nm,自己要比三星、臺積電的領(lǐng)先整整一代,但是沒辦法,人家的腳步要快得多。
今天,三星電子又宣布了新的11nm FinFET制造工藝“11LPP”(Low Power Plus),并確認(rèn)未來7nm工藝將上EUV極紫外光刻。三星11LPP工藝不是全新的,而是14nm、10nm的融合,一方面采用10nm BEOL(后端工藝),可以大大縮小芯片面積,另一方面則沿用14nm LPP工藝的部分元素。
三星于2016年10月投產(chǎn)10LPE(10nm Low Power Early),并已準(zhǔn)備好即將投產(chǎn)10LPP(10nm Low Power Plus),主要為智能手機制造芯片,14nm工藝則針對主流、低功耗和緊湊型芯片。
下一步,三星還會增加14LPU、10LPU版本,11LPP工藝將填補三星14nm、10nm之間的空白,號稱可在同等晶體管數(shù)量和功耗下比14LPP工藝提升15%的性能,或者降低10%的功耗,另外晶體管密度也有所提高。
三星計劃2018年上半年投產(chǎn)11LPP工藝,未來,三星還一路準(zhǔn)備了9nm、8nm、7nm、6nm、5nm工藝,其中7nm 7LPP版本會全面融合EUV極紫外光刻,確認(rèn)2018年下半年試產(chǎn)。
另有報道稱,在那之前的明年上半年,三星會首先在8LPP工藝的特定層上使用EUV。三星表示,2014年以來,已經(jīng)使用EUV技術(shù)處理了接近20萬塊晶圓,取得了豐碩成果,比如256Mb SRAM的良品率達(dá)到了80%。